(1) 著書
1. 図解 薄膜技術和田隆博
4.7.3 「カルコパイライト」 pp.192-194
（ISBN 4-563-03541-6 日本表面科学会編, 培風館, 1999年7月）.
(2) 解説・報告論文
1. 「第46回応用物理学会学関係連合講演会(1999年)報告－三元多元化合物半導体の結晶成長－組成制御と欠陥制御へのアプロ－チー」
和田隆博、松本 俊,
応用物理 68, 710 (1999).
2. 「化合物薄膜太陽電池」
電気学会技術報告 第714号 次世代太陽光発電技術
次世代太陽光発電気施術調査専門委員会（電気学会，1999年）.
3. 「第11回太陽光発電国際会議(PVSEC-11)報告」
和田隆博
Crystal Letters No.12 pp.2-3 (1999).
(3) 原著論文
1. ”Microstructure of Cu(In,Ga)Se2 films deposited in low Se Vapor Pressure”S. Nishiwaki, N. Kohara, T. Negami and T. Wada
Jpn. J. Appl. Phys. 38, 2888-2892 (1999).(DOI: 10.1143/JJAP.38.2888)
2. ”Preparation of Cu(In,Ga)Se2 Thin Films from In-Ga-Se Precursors for High Efficiency Solar Cells”
S. Nishiwaki, T. Satoh, S. Hayashi, Y. Hashimoto, T. Negami and T. Wada
J. Mater. Res. 14, No.12 , 4514-4520 (1999). (DOI: http://dx.doi.org/10.1557/JMR.1999.0613)
(4)国際会議報告
1. “High Efficiency CIGS Solar Cells with Modified CIGS Surface”T. Wada, Y. Hashimoto, S. Nishiwaki, T. Sato, S. Hayashi, T. Negami and H. Miyake
Technical Digest of the International PVSEC-11 (held at Sappolo, Hokkaido, Japan) pp.75-6 (1999).
2. “Preparation of Cu(In,Ga)Se2 Thin Films from Cu-Se/In-Ga-Se Precursors for High Efficiency Solar Cells”
S. Nishiwaki, T. Satoh, S. Hayashi, Y. Hashimoto, S. Shimakawa, T. Negami and T. Wada
Technical Digest of the International PVSEC-11 (held at Sappolo, Hokkaido, Japan) pp.621-22 (1999).
3. “Electrical Properties of the Cu(In,Ga)Se2/MoSe2/Mo structute”
N. Kohara, S. Nishiwaki, Y. Hashimoto, T. Negami and T. Wada
Technical Digest of the International PVSEC-11 (held at Sappolo, Hokkaido, Japan) pp.621-22 (1999).
